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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 85 A 350 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB4321PBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
85 A
Drain-Source-Spannung max.
150 V
Drain-Source-Widerstand max.
15 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
71 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 85 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 350 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 71 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
495-568
GTIN
5059043585529