Zum Hauptinhalt springen

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFP260NPBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
50 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
40 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
234 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 234 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

3,75 €

4,46 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 272 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
542-9771
GTIN
5059043735252