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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,3 A 82 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF630NPBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
9,3 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
300 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
35 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 82 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 35 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 652 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
543-0068
GTIN
5059043948539