Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IRF3205PBF
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 110 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 8 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 146 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 8.77mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 146 nC @ 10 Vmm
Höhe = 8.77mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 540-9783
- GTIN
- 5059043942711