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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF1405PBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
169 A
Drain-Source-Spannung max.
55 V
Drain-Source-Widerstand max.
5 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
170 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 169 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 170 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

1,68 €

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 2409 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
543-1099
GTIN
5059045313021