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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFU024NPBF

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
17 A
Drain-Source-Spannung max.
55 V
Drain-Source-Widerstand max.
75 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 1 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-1607
GTIN
5059045910503