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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF2805PBF

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
75 A
Drain-Source-Spannung max.
55 V
Drain-Source-Widerstand max.
4,7 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 16.51mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

1,46 €

1,74 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 847 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
784-0274
GTIN
5059043441412