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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRL3705NPBF

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
89 A
Drain-Source-Spannung max.
55 V
Drain-Source-Widerstand max.
10 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
98 nC @ 5 V
Gate-Schwellenspannung max.
2V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Gate-Source Spannung max.
–16 V, +16 V
Höhe
8.77mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 89 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 98 nC @ 5 V
Höhe = 8.77mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

1,54 €

1,83 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 697 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
540-9991
GTIN
5059043899534