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Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IGW75N60TFKSA1

Produkt-Nr.: P-CCKYZR

Technische Daten

Abmessungen
16.13 x 21.1 x 5.21mm
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Dauer-Kollektorstrom max.
150 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung
600 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach
Verlustleistung max.
428 W

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 428 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 21.1 x 5.21mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT
GTIN
5059043792040