Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: FD150R12RT4HOSA1
Technische Daten
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 150 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Verlustleistung max.
- 790 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 790 W
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Zustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 244-5819P