Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = Prime3+
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 10
Transistor-Konfiguration = Dual

Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1800 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen