Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: FF1800R12IE5PBPSA1
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 1,8 kA
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- Prime3+
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Pinanzahl
- 10
- Transistor-Konfiguration
- Dual
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = Prime3+
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 10
Transistor-Konfiguration = Dual
Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1800 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 218-4331