Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW ECONOD N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IFF450B12ME4PB11BPSA1
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 450 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- ECONOD
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Transistor-Konfiguration
- Dual
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = ECONOD
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Dual
Das Infineon EconoDual Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Er wird in der Motorsteuerung und in Antrieben, Stromwandlern und Wechselrichtern von Windenergieanlagen und USV-Systemen eingesetzt.Integrierte Shunt-Widerstände für die Gleichstrommessung Presssitz-Steuerstifte und Schraubanschlussklemmen Tim - Voraufgetragenen thermischen Schnittstellenwerkstoff für eine längste Lebensdauer Kompakte und robuste Bauweise mit geformten Anschlussklemmen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 218-4386