Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V max., 1200 V 215 W AG-EASY2B-1 N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: FP35R12W2T4BOMA1
Technische Daten
- Abmessungen
- 56.7 x 48 x 12mm
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 54 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- AG-EASY2B-1
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- Tafelmontage
- Transistor-Konfiguration
- 3-phasig
- Verlustleistung max.
- 215 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 54 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 215 W
Gehäusegröße = AG-EASY2B-1
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 56.7 x 48 x 12mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 111-6098
- GTIN
- 5059045766094