Infineon IMZ1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 13 A, 4-Pin TO-247-4

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = IMZ1
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 220 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der Infineon CoolSiC TM MOSFET 1200 V, 220 mΩ im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiter-Prozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Temperaturunabhängige Abschaltverluste Treiberquellen-Pin für optimierte Schaltleistung