Infineon IPP60R N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Serie

IPP60R

Transistor-Werkstoff

Si