Infineon IPP60R N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPP60R022S7XKSA1
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 23 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 22 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- IPP60R
- Transistor-Werkstoff
- Si
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = IPP60R
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 222-4924