Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 10 A 48 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IRL520NPBF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 10 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 180 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 20 nC @ 5 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 2V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- –16 V, +16 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = LogicFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 20 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
0,86 €
1,02 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1196
- GTIN
- 5059043900889