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Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 10 A 48 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRL520NPBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
10 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
180 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
20 nC @ 5 V
Gate-Schwellenspannung max.
2V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Gate-Source Spannung max.
–16 V, +16 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = LogicFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 20 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

0,86 €

1,02 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-1196
GTIN
5059043900889