Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 79 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.