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Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 140 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRL3803PBF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
140 A
Drain-Source-Spannung max.
30 V
Drain-Source-Widerstand max.
6 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
140 nC @ 4,5 V
Gate-Schwellenspannung max.
1V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Gate-Source Spannung max.
–16 V, +16 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 140 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = LogicFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 140 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

1,94 €

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Maximal 45 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
540-9979
GTIN
5059043907291