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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB025N10N3GATMA1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
180 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
4,4 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
SMD

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 4,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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Zustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
754-5421
GTIN
5059043260396