Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: BSC077N12NS3GATMA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 98 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 120 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 7,7 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 66 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 98 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 7,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 139 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 66 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 754-5285
- GTIN
- 5059043059570