Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPB320N20N3GATMA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 34 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 32 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 136 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 752-8344P
- GTIN
- 5059043794402