Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: BSC320N20NS3GATMA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 36 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 32 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 754-5311P
- GTIN
- 5059043067018