Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-220
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPP200N25N3GXKSA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 64 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 20 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 64 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 64 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 754-5500