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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPP200N25N3GXKSA1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
64 A
Drain-Source-Spannung max.
250 V
Drain-Source-Widerstand max.
20 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
64 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 64 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
754-5500