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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB107N20N3GATMA1

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
88 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
11 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
754-5434