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Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP149H6327XTSA1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Depletion
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
660 mA
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
1,8 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
11 nC @ 5 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
1V
Gate-Schwellenspannung min.
2.1V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 660 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11 nC @ 5 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
354-5720P
GTIN
5059043956008