Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: BSP149H6327XTSA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 660 mA
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,8 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 11 nC @ 5 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 1V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 660 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11 nC @ 5 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 354-5720P
- GTIN
- 5059043956008