STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW34NM60ND
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 760-9792
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042933895
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 29 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 110 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 80,4 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 20.15mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = FDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 80,4 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.15mm
N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics