STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW56N60DM2
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 111-6485P
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042039993
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 50 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 60 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = MDmesh DM2
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 360 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics. Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert. Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit AEC-Q101-qualifiziert