STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STB38N65M5

Produkt-Nr.: P-CC4VJD

Technische Daten

Breite: 9.35mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 30 A
Drain-Source-Spannung max.: 710 V
Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 4.6mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Serie = MDmesh M5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 4.6mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.