STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 69 A 400 W, 3-Pin TO-247

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 69 A 400 W, 3-Pin TO-247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW77N65M5

Produkt-Nr.: P-CC2K6Z

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 69 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 38 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: +25 V
Gehäusegröße: TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 69 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 38 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +25 V
Breite = 5.15mm
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.