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STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-220

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STP26NM60N

Produkt-Nr.: P-CC8C8W

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
20 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
165 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
60 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Höhe
15.75mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 165 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 15.75mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042184839