STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Drain-Source-Widerstand max.

1,3 Ω

Gate-Ladung typ. @ Vgs

72 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Höhe

16.4mm