STMicroelectronics SCTW90 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 119 A, 3-Pin HiP247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: SCTW90N65G2V
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 201-0887
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 119 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,024 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- SCTW90
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 119 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCTW90
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 119 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten