STMicroelectronics SCTW90 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 119 A, 3-Pin HiP247

Name: STMicroelectronics SCTW90 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 119 A, 3-Pin HiP247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTW90N65G2V

Produkt-Nr.: P-CC275B

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 119 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Serie: SCTW90

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 119 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCTW90
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 119 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten