Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFS9N60APBF
3,32 €
3,95 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Maximal 732 verfügbar
Lieferzeit ca. 2 Tage
Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 542-9995
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059040908369
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 9,2 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 750 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 49 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
- Höhe
- 4.83mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 49 nC @ 10 Vmm
Höhe = 4.83mm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor