Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFD120PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1691
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059040918962
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 1,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 270 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 16 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
- Höhe
- 3.37mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 16 nC @ 10 Vmm
Höhe = 3.37mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor