Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFD210PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-0531
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059040894716
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Breite
- 6.29mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 600 mA
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,5 Ω
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.29mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor