Vishay N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF740APBF

Produkt-Nr.: P-CCJPBK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 10 A
Drain-Source-Spannung max.: 400 V
Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 36 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 550 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 300 V bis 400 V, Vishay Semiconductor