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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,7 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFD014PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-0581
Zustand
Neu
GTIN
5059040701434

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
1,7 A
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Drain-Source-Widerstand max.
200 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
11 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Höhe
3.37mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11 nC @ 10 Vmm
Höhe = 3.37mm

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor