Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: SIHG039N60EF-GE3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 188-4985
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059045826132
Technische Daten
- Breite
- 5.31mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 61 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.2V
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 40 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 61 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 357 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 5.31mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) ANWENDUNGEN Server- und Telekommunikations-Netzteile Schaltnetzteile (SNT) Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)