Vishay N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFBE30PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1124
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059040738256
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 4,1 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 78 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 78 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor