Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 3,1 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFU9110PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1663
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059040918955
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 3,1 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,2 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 8,7 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- IPAK (TO-251)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,7 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor